企业简介
分别在 济南和潍坊建有工厂,总占地200余亩,山东华光光电子有限公司计划投资5亿元，建成国内的光电子产业化基地。 山东华光光电子有限公司领导层具有丰富的现代企业管理经验， [生产型] 主营产品：半导体材料,
山东华光光电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN201392845Y | 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管 | 2010.01.27 | 本实用新型提供了一种蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管。该发光二极管的外延结构由下至上依次为蓝宝石 |
| 2 | CN101587929A | 基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管 | 2009.11.25 | 本发明提供了一种基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其管芯结构自上而下依次包括GaP |
| 3 | CN301079480D | 大功率LED路灯 | 2009.12.09 | 1.后视图与主视图相同，省略后视图。2.右视图与左视图相同，省略右视图。 |
| 4 | CN101338879A | 利用YAG透明陶瓷制备白光LED的方法 | 2009.01.07 | 本发明公开了一种利用YAG透明陶瓷制备白光LED的方法，首先利用绝缘胶水将裸露的蓝光或紫外光LED芯 |
| 5 | CN101330195A | 一种大功率半导体激光器的烧结方法 | 2008.12.24 | 本发明提供了一种可实现批量生产的大功率半导体激光器的烧结方法，包括以下步骤：(1)设计制作一套用于热 |
| 6 | CN104218446B | 一种半导体激光器装条装置及装条方法 | 2017.02.22 | 一种半导体激光器装条装置及装条方法，该装置包括支座和夹具，夹具置于支座上，支座上带有间隔的四条脊，两 |
| 7 | CN205488995U | 新型半导体激光器发光区台形结构 | 2016.08.17 | 本实用新型涉及一种新型半导体激光器发光区台形结构，包括激光器外延片和在激光器外延片上的条形凸台，所述 |
| 8 | CN103633552B | 一种贴片式激光器封装结构及其在光电电路中的封装方法 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种贴片式激光器封装结构，包括半导体激光器管芯和L形热沉；所述L形热沉，包括L形的负极层 |
| 9 | CN105720480A | 一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法及其实现装置 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法，具体步骤包括：A、测定扩散Zn半导体 |
| 10 | CN205265034U | 一种半导体激光器管座固定模条 | 2016.05.25 | 一种半导体激光器管座固定模条，包括模条体和弹片，弹片固定设置在模条体上，模条体上设置有孔槽，孔槽上设 |
| 11 | CN103311797B | 一种半导体器件烧结用夹具及半导体激光器多管芯的烧结方法 | 2016.05.25 | 本发明涉及一种半导体器件烧结用夹具及半导体激光器多管芯的烧结方法。该夹具包括底座、支撑架、盖板、升降 |
| 12 | CN105591279A | 一种可对位批量烧结半导体激光器管芯的夹具及其烧结方法 | 2016.05.18 | 一种可对位批量烧结半导体激光器管芯的夹具，包括底座、支撑架、在所述支撑架顶端设置的平台，在所述平台的 |
| 13 | CN103629596B | 一种激光器植物照明灯及其制备方法 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种激光器植物照明灯，包括电路板、在所述电路板上封装有半导体激光器管芯、在所述半导体激光 |
| 14 | CN105589162A | 一种微型光学元件的安装夹具及方法 | 2016.05.18 | 本发明涉及一种微型光学元件的安装夹具及方法，包括：框架，框架的上、下部均设有轴向滑动路径；第一导管， |
| 15 | CN205192966U | 一种用于半导体激光器芯片腔面检查的工装 | 2016.04.27 | 一种用于半导体激光器芯片腔面检查的工装，包括镜检平台、支撑腿和连接模块，镜检平台的两侧设置有连接模块 |
| 16 | CN205194926U | 一种半导体激光器老化筛选插座 | 2016.04.27 | 一种半导体激光器老化筛选插座，包括散热帽和主体，散热帽罩在主体上；主体呈柱形，主体的顶端带有凸起，主 |
| 17 | CN205195040U | 一种微通道半导体激光器的烧结夹具 | 2016.04.27 | 一种微通道半导体激光器的烧结夹具，该烧结夹具包括定位底座和可调盖板，可调盖板连接在定位底座上，定位底 |
| 18 | CN205194672U | 一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮 | 2016.04.27 | 一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮，包括花篮本体、卡槽单元和支架单元，花篮本体上设置有卡槽单元，每个卡槽 |
| 19 | CN105449516A | 一种调整半导体激光器波长的方法 | 2016.03.30 | 一种调整半导体激光器波长的方法，包括以下步骤：（1）将加工好的半导体激光器外延片解理成巴条；（2）将 |
| 20 | CN105449519A | 一种双肩脊条的GaAs-基激光器的制备方法及利用该方法制备的GaAs-基激光器 | 2016.03.30 | 一种双肩脊条的GaAs-基激光器的制备方法，包括步骤如下：利用光刻掩膜版进行曝光、显影、腐蚀等工步制 |
| 21 | CN205103443U | 一种非接触式通光笔 | 2016.03.23 | 本实用新型涉及一种非接触式通光笔，该通光笔包括依次连接的笔前端、笔体和尾盖，笔前端内设有发光源与驱动 |
| 22 | CN105406359A | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器 | 2016.03.16 | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器，包括从下至上依次为衬底、下包层、有源区、第一 |
| 23 | CN105404079A | 一种多发散角度的半导体激光照明模组 | 2016.03.16 | 本发明提供一种具有多个发散角的半导体激光照明模组，包括半导体激光器、照明模组底座、照明模组镜头、照明 |
| 24 | CN105403961A | 一种非接触式通光笔及其制造方法 | 2016.03.16 | 本发明涉及一种非接触式通光笔及其制造方法，该通光笔包括依次连接的笔前端、笔体和尾盖，笔前端内设有发光 |
| 25 | CN105390937A | 一种短波长AlGaInP红光半导体激光器 | 2016.03.09 | 一种短波长AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量 |
| 26 | CN105372817A | 一种改善光纤输出激光器光斑匀化的装置 | 2016.03.02 | 本发明涉及一种改善光纤输出激光器光斑匀化的装置，包括光纤，光纤保护管，弯管；根据不同的光斑输出要求， |
| 27 | CN105376522A | 一种带有光学警告装置的红外热成像仪及其应用 | 2016.03.02 | 一种带有光学警告装置的红外热成像仪，包括红外热成像仪组件、图像采集部、警告光源和分别与所述红外热成像 |
| 28 | CN105356291A | 一种半导体激光器管帽的快速排列方法 | 2016.02.24 | 一种半导体激光器管帽的快速排列方法，包括以下步骤：（1）使初始托盘上零散的管帽均置于初始托盘的每个圆 |
| 29 | CN105352610A | 一种测试GaAs基半导体激光器外延片发光波长的方法及其应用 | 2016.02.24 | 本发明涉及一种测试GaAs基半导体激光器外延片发光波长的方法及其应用，包括由下至上依次设置的衬底、下 |
| 30 | CN105319834A | 一种具有集成检测标记的光刻掩膜版及其应用 | 2016.02.10 | 一种具有集成检测标记的光刻掩膜版，包括在所述光刻掩膜版上设置的对准标记、测量标记和包含脊形波导信息的 |
| 31 | CN105310771A | 一种出射均匀光斑的半导体激光器医疗模组及其应用 | 2016.02.10 | 本发明涉及一种出射均匀光斑的半导体激光器医疗模组及其应用，包括半导体激光器、激光器散热片、孔径光阑、 |
| 32 | CN105304538A | 一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮 | 2016.02.03 | 一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮，包括花篮本体、卡槽单元和支架单元，花篮本体上设置有卡槽单元，每个卡槽 |
| 33 | CN105305224A | 一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器及其封装方法 | 2016.02.03 | 本发明涉及一种采用铝基板封装的大功率半导体激光器及其封装方法，包括激光器芯片、次热沉、铜热沉、过渡绝 |
| 34 | CN105301749A | 一种光轴微调的激光变焦照明模组及其应用 | 2016.02.03 | 本发明涉及一种光轴微调的激光变焦照明模组，包括半导体激光器、准直光学镜组、匀化扩束光学镜组、角度控制 |
| 35 | CN105244756A | 一种微通道半导体激光器的烧结夹具及其烧结方法 | 2016.01.13 | 一种微通道半导体激光器的烧结夹具及其烧结方法，该烧结夹具包括定位底座和可调盖板，可调盖板连接在定位底 |
| 36 | CN204947320U | 一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构 | 2016.01.06 | 本实用新型涉及一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构。所述芯片结构是在具有电流注入区域和发光增益区域 |
| 37 | CN103326234B | 一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法 | 2016.01.06 | 本发明提供了一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法，该过渡热沉包括基板、金属过渡层和焊料附着层； |
| 38 | CN103837992B | 一种光纤输出激光均匀化消散斑的方法 | 2016.01.06 | 本发明涉及一种光纤输出激光均匀化消散斑的方法。该方法包括对光纤输出激光器的光纤输出端面或光纤端帽输出 |
| 39 | CN103364956B | 一种光纤输出激光均匀化消散斑的方法及装置 | 2016.01.06 | 一种光纤输出激光均匀化消散斑的方法及装置，属于激光应用技术领域。本方法是通过给光纤施加应力改善光纤输 |
| 40 | CN105226502A | 一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法 | 2016.01.06 | 本发明一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法，通过在外延片上面旋涂光刻胶后 |
| 41 | CN105203305A | 一种半导体激光器无损波长分类筛选方法 | 2015.12.30 | 一种半导体激光器无损波长分类筛选方法，通过电致发光初检及工艺片整片扫描光荧光谱复检的方法，可有效筛选 |
| 42 | CN105204167A | 一种外壳绝缘的边发射激光照明模组 | 2015.12.30 | 本发明提供了一种外壳绝缘的边发射激光照明模组，包括散热外壳，在所述散热外壳的前部设置有镜筒、在所述散 |
| 43 | CN105182548A | 一种便于光纤整形的高性能半导体激光器及其封装方法 | 2015.12.23 | 一种便于光纤整形的高性能半导体激光器及其封装方法，该半导体激光器，包括铜热沉、芯片、次热沉和整形光纤 |
| 44 | CN201392846Y | 硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管 | 2010.01.27 | 本实用新型公开了一种硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管，该发光二极管的外延结构采用硅衬底，在硅衬底 |
| 45 | CN101340060A | 非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器 | 2009.01.07 | 本发明提供了一种非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲 |
| 46 | CN101330194A | 一种中低功率半导体激光器的封装制作方法 | 2008.12.24 | 本发明提供了一种中低功率半导体激光器的封装制作方法，该封装制作方法是利用热沉作为中间载体，在热沉上以 |
| 47 | CN101540361A | 硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法 | 2009.09.23 | 本发明公开了一种硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法，该LED外延片采用硅衬底，在硅衬底上 |
| 48 | CN101540359A | 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法 | 2009.09.23 | 本发明提供了一种蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。该发光二极管的外延结构由下至 |
| 49 | CN101540360A | 6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片 | 2009.09.23 | 本发明公开了一种6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片及其制作工艺。反极性AlGaInPL |
| 50 | CN204885819U | 一种半导体激光器管芯自对准烧结夹具 | 2015.12.16 | 本实用新型涉及一种半导体激光器管芯自对准烧结夹具。所述自对准烧结夹具包括支架、对位底座、压柱和弹簧； |
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